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PTRA097008NB-V1-R2

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小500KB,共11页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
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PTRA097008NB-V1-R2在线购买

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PTRA097008NB-V1-R2概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier

PTRA097008NB-V1-R2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性N-Channel
技术Si
Id-连续漏极电流600 mA
Vds-漏源极击穿电压105 V
Rds On-漏源导通电阻70 mOhms
增益19 dB
输出功率630 W
安装风格Screw Mount
封装 / 箱体PG-HB2SOF-6-1
封装Reel
工作频率920 MHz to 960 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量2 Channel
工厂包装数量250
Vgs - 栅极-源极电压3.65 V

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PTRA097008NB
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
630 W, 48 V, 920 – 960 MHz
Description
The PTRA097008NB is a 630-watt LDMOS FET intended for use
in multi-standard cellular power amplifier applications in the 920
to 960 MHz frequency band. Features include input and output
matching, high gain and thermally-enhanced package with earless
flanges. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process,
this device provides excellent thermal performance and superior
reliability.
PTRA097008NB
Package PG-HB2SOF-6-1
Single-carrier WCDMA Drive-up
V
DD
= 50 V, I
DQ(MAIN)
= 600 mA,
V
GS(PEAK)
= 2.4 V, ƒ = 960 MHz,
3GPP WCDMA signal, 10 dB PAR,
3.84 MHz bandwidth
Gain
Efficiency
Features
Broadband internal input and output matching
Asymmetric design
- Main: P
1dB
= 300 W typical
- Peak: P
1dB
= 400 W typical
Typical pulsed CW performance (10 µs, 10% duty
cycle, class AB test), 942 MHz, 48 V, combined
outputs, Doherty configuration
- Output power at P
1dB
= 180 W
- Output power at P
3dB
= 600 W
- Efficiency = 52%
- Gain = 19 dB
Capable of handing 10:1 VSWR at 48 V, 89 W (CW)
output power
Integrated ESD protection
Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
Low thermal resistance
Pb-free and RoHS-compliant
Peak/Average Ratio (dB), Gain (dB)
24
20
16
12
8
4
0
25
60
40
0
PAR @ 0.01% CCDF
-20
-40
ra097008nb-gr1a
-60
30
35
40
45
50
55
Average Output Power (dBm)
RF Characteristics
Single-carrier WCDMA Specifications
(tested in Wolfspeed Doherty test fixture)
V
DD
= 50 V, I
DQ
= 600 mA, V
GS(PEAK)
= 2.4 V, P
OUT
= 90 W avg, ƒ
1
= 960 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz,
peak/average = 10 dB @ 0.01% CCDF
Characteristic
Gain
Drain Efficiency
Adjacent Channel Power Ratio
Output PAR @ 0.01% CCDF
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Efficiency (%)
20
Symbol
G
ps
Min
18.25
46.5
6.0
Typ
19
49
–29
6.8
Max
–26
Unit
dB
%
dBc
dB
h
D
ACPR
OPAR
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Rev. 03, 2018-05-01
4600 Silicon Drive | Durham, NC 27703 | www.wolfspeed.com
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