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PXFC191507FC-V1-R250

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小395KB,共9页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
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PXFC191507FC-V1-R250在线购买

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PXFC191507FC-V1-R250概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PXFC191507FC-V1-R250规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性N-Channel
技术Si
Vds-漏源极击穿电压65 V
Rds On-漏源导通电阻50 mOhms
增益20.5 dB
输出功率150 W
最大工作温度+ 225 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体H-37248G-4/2
封装Reel
工作频率1805 MHz to 1990 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量1 Channel
工厂包装数量250
Vgs - 栅极-源极电压10 V

PXFC191507FC-V1-R250相似产品对比

PXFC191507FC-V1-R250 PXFC191507FC-V1-R0
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
厂商名称 Wolfspeed (Cree) Wolfspeed (Cree)
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性 N-Channel N-Channel
技术 Si Si
Vds-漏源极击穿电压 65 V 65 V
Rds On-漏源导通电阻 50 mOhms 50 mOhms
增益 20.5 dB 20.5 dB
输出功率 150 W 150 W
最大工作温度 + 225 C + 225 C
安装风格 SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体 H-37248G-4/2 H-37248G-4/2
封装 Reel Reel
工作频率 1805 MHz to 1990 MHz 1805 MHz to 1990 MHz
类型 RF Power MOSFET RF Power MOSFET
通道数量 1 Channel 1 Channel
工厂包装数量 250 50
Vgs - 栅极-源极电压 10 V 10 V
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