射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Wolfspeed (Cree) |
产品种类 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
晶体管极性 | N-Channel |
技术 | Si |
Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
Rds On-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
增益 | 20.5 dB |
输出功率 | 150 W |
最大工作温度 | + 225 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | H-37248G-4/2 |
封装 | Reel |
工作频率 | 1805 MHz to 1990 MHz |
类型 | RF Power MOSFET |
通道数量 | 1 Channel |
工厂包装数量 | 250 |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
PXFC191507FC-V1-R250 | PXFC191507FC-V1-R0 | |
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描述 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET |
厂商名称 | Wolfspeed (Cree) | Wolfspeed (Cree) |
产品种类 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
晶体管极性 | N-Channel | N-Channel |
技术 | Si | Si |
Vds-漏源极击穿电压 | 65 V | 65 V |
Rds On-漏源导通电阻 | 50 mOhms | 50 mOhms |
增益 | 20.5 dB | 20.5 dB |
输出功率 | 150 W | 150 W |
最大工作温度 | + 225 C | + 225 C |
安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | H-37248G-4/2 | H-37248G-4/2 |
封装 | Reel | Reel |
工作频率 | 1805 MHz to 1990 MHz | 1805 MHz to 1990 MHz |
类型 | RF Power MOSFET | RF Power MOSFET |
通道数量 | 1 Channel | 1 Channel |
工厂包装数量 | 250 | 50 |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V | 10 V |
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