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PTRA094808NF-V1-R5

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小495KB,共11页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
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PTRA094808NF-V1-R5概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier

PTRA094808NF-V1-R5规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性Dual N-Channel
技术Si
Vds-漏源极击穿电压105 V
Rds On-漏源导通电阻80 mOhms
增益17.5 dB
输出功率480 W
最大工作温度+ 225 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PG-HBSOF-6-2
封装Reel
工作频率859 MHz to 960 Mhz
类型RF Power MOSFET
通道数量2 Channel
工厂包装数量500
Vgs - 栅极-源极电压10 V

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PTRA094808NF
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
480 W, 48 V, 859 – 960 MHz
Description
The PTRA094808NF is a 480-watt LDMOS FET intended for use in
multi-standard cellular power amplifier applications in the 859 to 960
MHz frequency band. Features include input and output matching,
high gain and thermally-enhanced package with earless flange.
Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability.
PTRA094808NF
Package PG-HBSOF-6-2
Single-carrier WCDMA Drive-up
V
DD
= 48 V, I
DQ(MAIN)
= 450 mA,
V
GS(PEAK)
= 2.05 V,
ƒ = 895 MHz,
3GPP WCDMA signal, PAR = 10 dB,
3.84 MHz BW
Efficiency
Features
Broadband internal input and output matching
Asymmetrical design
- Main: P
1dB
= 210 W Typ
- Peak: P
1dB
= 340 W Typ
Typical Pulsed CW performance, 896 MHz, 48 V,
Doherty configuration
- Output power at P
1dB
= 300 W
Output power at P
3dB
= 420 W
- Efficiency = 53%
- Gain = 17.5 dB
Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V, 100 W
(CW) output power
Integrated ESD protection
Human Body Model class 1C (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
Low thermal resistance
Pb-free and RoHS compliant
24
60
40
Peak/Average Ratio, Gain (dB)
20
16
12
8
4
0
PAR @ 0.01% CCDF
Gain
0
-20
-40
ptra094808nf_g1
25
30
35
40
45
50
55
-60
Average Output Power (dBm)
RF Characteristics
Single-carrier WCDMA Specifications
(tested in Wolfspeed Doherty production test fixture)
V
DD
= 48 V, I
DQ
= 450 mA, V
GS(PEAK)
= 2.05 V, P
OUT
= 87 W avg, ƒ = 895 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz,
peak/average = 10 dB @ 0.01% CCDF
Characteristic
Linear Gain
Drain Efficiency
Adjacent Channel Power Ratio
Output PAR@0.01% CCDF
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Efficiency (%)
20
Symbol
G
ps
Min
16.5
48.5
7.1
Typ
17.5
52.5
–30.5
7.5
Max
–26.5
Unit
dB
%
dBc
dB
h
D
ACPR
OPAR
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Rev. 05, 2018-06-20
4600 Silicon Drive | Durham, NC 27703 | www.wolfspeed.com
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