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PTRA093302FC-V1-R2

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小386KB,共9页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
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PTRA093302FC-V1-R2概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier

PTRA093302FC-V1-R2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性Dual N-Channel
技术Si
Vds-漏源极击穿电压105 V
Rds On-漏源导通电阻400 mOhms
增益17.25 dB
输出功率330 W
最大工作温度+ 225 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体H-37248-4
封装Reel
工作频率746 MHz to 768 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量2 Channel
工厂包装数量250
Vgs - 栅极-源极电压10 V

PTRA093302FC-V1-R2相似产品对比

PTRA093302FC-V1-R2 PTRA093302FC-V1-R0
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
厂商名称 Wolfspeed (Cree) Wolfspeed (Cree)
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性 Dual N-Channel Dual N-Channel
技术 Si Si
Vds-漏源极击穿电压 105 V 105 V
Rds On-漏源导通电阻 400 mOhms 400 mOhms
增益 17.25 dB 17.25 dB
输出功率 330 W 330 W
最大工作温度 + 225 C + 225 C
安装风格 SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体 H-37248-4 H-37248-4
封装 Reel Reel
工作频率 746 MHz to 768 MHz 746 MHz to 768 MHz
类型 RF Power MOSFET RF Power MOSFET
通道数量 2 Channel 2 Channel
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