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PXAC261212FC-V1-R250

产品描述射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   
文件大小428KB,共11页
制造商Wolfspeed (Cree)
标准
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PXAC261212FC-V1-R250概述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PXAC261212FC-V1-R250规格参数

参数名称属性值
厂商名称Wolfspeed (Cree)
产品种类射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性N-Channel
技术Si
Id-连续漏极电流280 mA
Vds-漏源极击穿电压28 V
Rds On-漏源导通电阻190 mOhms
增益15 dB
输出功率120 W
安装风格Screw Mount
封装 / 箱体H-37248-4
封装Reel
工作频率2496 MHz to 2690 MHz
类型RF Power MOSFET
通道数量2 Channel
工厂包装数量250
Vgs - 栅极-源极电压2.6 V

PXAC261212FC-V1-R250相似产品对比

PXAC261212FC-V1-R250 PXAC261212FC-V1-R0
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
厂商名称 Wolfspeed (Cree) Wolfspeed (Cree)
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性 N-Channel N-Channel
技术 Si Si
Id-连续漏极电流 280 mA 280 mA
Vds-漏源极击穿电压 28 V 28 V
Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms 190 mOhms
增益 15 dB 15 dB
输出功率 120 W 120 W
安装风格 Screw Mount Screw Mount
封装 / 箱体 H-37248-4 H-37248-4
封装 Reel Reel
工作频率 2496 MHz to 2690 MHz 2496 MHz to 2690 MHz
类型 RF Power MOSFET RF Power MOSFET
通道数量 2 Channel 2 Channel
工厂包装数量 250 50
Vgs - 栅极-源极电压 2.6 V 2.6 V

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