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IS43TR16512B-125KBL-TR

产品描述动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
产品类别半导体    存储器 IC    动态随机存取存储器   
文件大小4MB,共88页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS43TR16512B-125KBL-TR在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IS43TR16512B-125KBL-TR概述

动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R

IS43TR16512B-125KBL-TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称ISSI(芯成半导体)
产品种类动态随机存取存储器
类型SDRAM - DDR3
数据总线宽度16 bit
组织512 M x 16
封装 / 箱体FBGA-96
存储容量8 Gbit
最大时钟频率800 MHz
访问时间13.75 ns
电源电压-最大1.575 V
电源电压-最小1.425 V
电源电流—最大值150 mA
最小工作温度0 C
最大工作温度+ 95 C
系列IS43TR16512B
封装Reel
安装风格SMD/SMT
工厂包装数量2000

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