动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ISSI(芯成半导体) |
产品种类 | 动态随机存取存储器 |
类型 | SDRAM - DDR3 |
数据总线宽度 | 16 bit |
组织 | 512 M x 16 |
封装 / 箱体 | FBGA-96 |
存储容量 | 8 Gbit |
最大时钟频率 | 800 MHz |
访问时间 | 13.75 ns |
电源电压-最大 | 1.575 V |
电源电压-最小 | 1.425 V |
电源电流—最大值 | 150 mA |
最小工作温度 | 0 C |
最大工作温度 | + 95 C |
系列 | IS43TR16512B |
封装 | Reel |
安装风格 | SMD/SMT |
工厂包装数量 | 2000 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved