电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IS46TR16512BL-107MBLA1

产品描述动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
产品类别半导体    存储器 IC    动态随机存取存储器   
文件大小4MB,共88页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IS46TR16512BL-107MBLA1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IS46TR16512BL-107MBLA1 - - 点击查看 点击购买

IS46TR16512BL-107MBLA1概述

动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp

IS46TR16512BL-107MBLA1规格参数

参数名称属性值
厂商名称ISSI(芯成半导体)
产品种类动态随机存取存储器
发货限制此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
类型SDRAM - DDR3L
数据总线宽度16 bit
组织512 M x 16
封装 / 箱体FBGA-96
存储容量8 Gbit
最大时钟频率1066 MHz
电源电压-最大1.45 V
电源电压-最小1.283 V
电源电流—最大值160 mA
最小工作温度- 40 C
最大工作温度+ 95 C
系列IS46TR16512BL
封装Tray
安装风格SMD/SMT
工厂包装数量136

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 470  627  941  1536  1633 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved