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CMPFJ175 TR: 产品描述JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold; 产品类别半导体分立半导体晶体管 JFET; 文件大小271KB，共4页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMPFJ175 TR概述

JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold

CMPFJ175 TR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Central Semiconductor
产品种类	JFET
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23
晶体管极性	P-Channel
配置	Single
Vds-漏源极击穿电压	15 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Rds On-漏源导通电阻	125 Ohms
Pd-功率耗散	350 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	CMPFJ175
封装	Reel
类型	JFET
闸/源截止电压	30 V
最大漏极/栅极电压	30 V
工厂包装数量	3000

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CMPFJ175

CMPFJ176

SURFACE MOUNT SILICON

P-CHANNEL JFETS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 and

CMPFJ176 are epoxy molded P-Channel JFETs

manufactured in an SOT-23 case, designed for low

level amplifier applications.

MARKING CODES: CMPFJ175: 6W

CMPFJ176: 6X

SOT-23 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Gate-Drain Voltage

Gate-Source Voltage

Gate Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VGD

VGS

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

350

-65 to +150

357

CMPFJ176

MIN

MAX

1.0

2.0

1.0

4.0

250

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

CMPFJ175

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

IGSS

VGS=20V

1.0

IDSS

VDS=15V

7.0

BVGSS

VGS(off)

rDS(ON)

IG=1.0μA

VDS=15V, ID=10nA

VDS=0.1V

3.0

6.0

125

UNITS

R3 (7-December 2016)

CMPFJ175 TR相似产品对比

	CMPFJ175 TR	CMPFJ175 BK
描述	JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold	JFET 30Vgd P-Ch JFET 30Vgs 50mA 350mW
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
产品种类	JFET	JFET
技术	Si	Si
安装风格	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23	SOT-23-3
晶体管极性	P-Channel	P-Channel
配置	Single	Single
Vds-漏源极击穿电压	15 V	15 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V	30 V
Rds On-漏源导通电阻	125 Ohms	125 Ohms
Pd-功率耗散	350 mW	350 mW
最小工作温度	- 65 C	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C	+ 150 C
系列	CMPFJ175	CMPFJ175
封装	Reel	Bulk
类型	JFET	JFET
闸/源截止电压	30 V	3 V to 6 V
最大漏极/栅极电压	30 V	30 V
工厂包装数量	3000	3500

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