双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | MicrosemiMicrochip |
产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
技术 | Si |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-46-3 |
晶体管极性 | PNP |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V |
集电极—基极电压 VCBO | 40 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.9 V |
最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 200 C |
直流电流增益 hFE 最大值 | 120 |
封装 | Tray |
集电极连续电流 | 1.5 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 30 |
Pd-功率耗散 | 1 W |
JAN2N3764U4 | JAN2N3764L | |
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描述 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor |
厂商名称 | MicrosemiMicrochip | MicrosemiMicrochip |
产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
技术 | Si | Si |
安装风格 | Through Hole | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-46-3 | TO-46-3 |
晶体管极性 | PNP | PNP |
配置 | Single | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V | 40 V |
集电极—基极电压 VCBO | 40 V | 40 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.9 V | 0.9 V |
最大直流电集电极电流 | 1.5 A | 1.5 A |
最小工作温度 | - 55 C | - 55 C |
最大工作温度 | + 200 C | + 200 C |
直流电流增益 hFE 最大值 | 120 | 120 |
封装 | Tray | Foil Bag |
集电极连续电流 | 1.5 A | 1.5 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 30 | 30 |
Pd-功率耗散 | 1 W | 1 W |
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