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JAN2N3764U4

产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)   
文件大小61KB,共3页
制造商MicrosemiMicrochip
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JAN2N3764U4概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT

JAN2N3764U4规格参数

参数名称属性值
厂商名称MicrosemiMicrochip
产品种类双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-46-3
晶体管极性PNP
配置Single
集电极—发射极最大电压 VCEO40 V
集电极—基极电压 VCBO40 V
发射极 - 基极电压 VEBO5 V
集电极—射极饱和电压0.9 V
最大直流电集电极电流1.5 A
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值120
封装Tray
集电极连续电流1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min30
Pd-功率耗散1 W

JAN2N3764U4相似产品对比

JAN2N3764U4 JAN2N3764L
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
厂商名称 MicrosemiMicrochip MicrosemiMicrochip
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术 Si Si
安装风格 Through Hole Through Hole
封装 / 箱体 TO-46-3 TO-46-3
晶体管极性 PNP PNP
配置 Single Single
集电极—发射极最大电压 VCEO 40 V 40 V
集电极—基极电压 VCBO 40 V 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V 5 V
集电极—射极饱和电压 0.9 V 0.9 V
最大直流电集电极电流 1.5 A 1.5 A
最小工作温度 - 55 C - 55 C
最大工作温度 + 200 C + 200 C
直流电流增益 hFE 最大值 120 120
封装 Tray Foil Bag
集电极连续电流 1.5 A 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min 30 30
Pd-功率耗散 1 W 1 W

 
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