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SAC45-E3/4

产品描述ESD 抑制器/TVS 二极管 500W 45V 10% Low Cap
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SAC45-E3/4概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 500W 45V 10% Low Cap

SAC45-E3/4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-15
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压50 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-204AC
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压45 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE

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SAC5.0 thru SAC50
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Low Capacitance T
RANS
Z
ORB®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
• Glass passivated chip junction
• 500 W peak pulse power capability with a
10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty
cycle): 0.01 %
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
DO-15 (DO-204AC)
• Low incremental surge resistance
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,
computer, industrial, and telecommunication.
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
WM
V
BR
P
PPM
P
D
T
J
max.
Polarity
Package
5.0 V to 50 V
7.6 V to 55.5 V
500 W
3.0 W
175 °C
Uni-directional
DO-15 (DO-204AC)
MECHANICAL DATA
Case:
DO-15 (DO-204AC)
Molded epoxy over passivated body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant and commercial grade
Terminals:
matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
color band denotes cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform
Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform (fig. 3)
(1)
Power dissipation on infinite heatsink at T
L
= 75 °C (fig. 2)
Operating junction and storage temperature range
Note
(1)
Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T = 25 °C per fig. 2
A
(1)
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
P
D
T
J
, T
STG
VALUE
500
See next table
3.0
-55 to +175
UNIT
W
A
W
°C
Revision: 16-Jan-18
Document Number: 88379
1
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