静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 3V STSOP32 55NS -40TO85C
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Renesas |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | TSOP(1) |
包装说明 | SOP, |
针数 | 32 |
制造商包装代码 | PTSA0032KG-A32 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 18 weeks |
Samacsys Description | Low Power SRAM |
最长访问时间 | 55 ns |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
R1LV0108ESA-5SI#S1 | R1LV0108ESN-7SI#S0 | R1LV0108ESN-5SI#S0 | R1LV0108ESF-5SI#S1 | |
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描述 | 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 3V STSOP32 55NS -40TO85C | SRAM 1Mb 3V Adv. SRAM x8, SOP, 70NS, T+R | 静态随机存取存储器 1Mb 3V Adv. 静态随机存取存储器 x8, SOP, 55NS, T+R | 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 3V TSOP32 55NS -40TO85C |
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