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GS81302TT06GE-400I

产品描述静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 8 144M
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共30页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS81302TT06GE-400I概述

静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 8 144M

GS81302TT06GE-400I规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time12 weeks
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm

GS81302TT06GE-400I相似产品对比

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描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 8 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 8 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 8 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M
是否无铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 不符合 符合 符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA,
针数 165 165 165 165 165 165 165 165 165
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 134217728 bit 150994944 bit 134217728 bit 150994944 bit 134217728 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM
内存宽度 8 9 8 9 8 36 36 9 36
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165 165 165 165 165
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 4194304 words 4194304 words 16777216 words 4194304 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 4000000 4000000 16000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C
组织 16MX8 16MX9 16MX8 16MX9 16MX8 4MX36 4MX36 16MX9 4MX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 260 NOT SPECIFIED 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
JESD-609代码 e1 - - e1 e1 e1 - e1 e1
湿度敏感等级 3 - - 3 3 3 - 3 3
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

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