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NSVMSA1162GT1G

产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC59 XSTR PNP 45V TR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSVMSA1162GT1G概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC59 XSTR PNP 45V TR

NSVMSA1162GT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
制造商包装代码318D-04
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max0.5 V

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MSA1162GT1G
General Purpose Amplifier
Transistors
PNP Surface Mount
Features
Moisture Sensitivity Level: 1
This is a Pb−Free Device
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C)
Rating
Collector−Base Voltage
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Continuous
Collector Current
Peak
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
C
I
C(P)
Value
60
50
7.0
100
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
http://onsemi.com
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
D
T
J
T
stg
Max
200
150
−55
to +150
Unit
mW
°C
°C
SC−59
CASE 318D
STYLE 1
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
MARKING DIAGRAM
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Collector−Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 2.0 mAdc, I
B
= 0)
Collector−Base Breakdown Voltage
(I
C
= 10
mAdc,
I
E
= 0)
Emitter−Base Breakdown Voltage
(I
E
= 10
mAdc,
I
C
= 0)
Collector−Base Cutoff Current
(V
CB
= 45 Vdc, I
E
= 0)
Collector−Emitter Cutoff Current
(V
CE
= 10 Vdc, I
B
= 0)
(V
CE
= 30 Vdc, I
B
= 0)
(V
CE
= 30 Vdc, I
B
= 0, T
A
= 80°C)
DC Current Gain (Note 1)
(V
CE
= 6.0 Vdc, I
C
= 2.0 mAdc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 10 mAdc)
Current
−Gain −
Bandwidth Product
(I
C
= 1 mA, V
CE
= 10.0 V, f = 10 MHz)
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
Min
50
60
7.0
Max
0.1
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
1
62G M
G
G
62G = Device Code
M
= Date Code*
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation may vary depending
upon manufacturing location.
200
0.1
2.0
1.0
400
0.5
mAdc
mAdc
mAdc
Vdc
MHz
ORDERING INFORMATION
Device
MSA1162GT1G
Package
SC−59
(Pb−Free)
Shipping
3000/Tape & Reel
h
FE
V
CE(sat)
f
T
80
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
1. Pulse Test: Pulse Width
300
ms,
D.C.
2%.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
1
October, 2013
Rev. 7
Publication Order Number:
MSA1162GT1/D
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用MDK编译F7的程序的时候发现在F103上重定义C函数后可以运用的 printf() 函数在F7中用不了 为此花了一上午的时间解决 printf()函数发送的问题 终于解决了 直接解决方案 #ifdef __GUNC_ ......
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