电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SA130A

产品描述500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小175KB,共4页
制造商FCI [First Components International]
下载文档 全文预览

SA130A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SA130A - - 点击查看 点击购买

SA130A概述

500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15

文档预览

下载PDF文档
Data Sheet
5.0V to 170V GPP TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSORS
TVS
Device
Load
Uni-Polar
TVS
Device
Load
Description
Mechanical Dimensions
JEDEC
204-AC
.120
.140
.240
.255
1.00 Min.
SA5.0...170
.031 typ.
Bi-Polar
Features
n
500 WATT PEAK POWER PROTECTION
n
EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
n
FAST RESPONSE TIME
n
TYPICAL I
R
< 1µA ABOVE 10V
n
GLASS PASSIVATED CHIP CONSTRUCTION
n
MEETS UL SPECIFICATION 94V-0
SA5.0...170
Maximum Ratings
Peak Power Dissipation...P
PK
T
P
= 1ms
(Note 5)
Steady State Power Dissipation...P
D
@ T
L
= 75°C
......................................... 500 Min. ..........................................
.............................................
1
...............................................
Units
Watts
Watts
Amps
............................................. 7 0 ...............................................
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current...I
FSM
@ Rated Load Conditions, 8.3 ms, ½ Sine Wave, Single Phase
(Note 3)
Forward Voltage @ 50A...V
F
(Undirectional Only)
Weight...G
RM
Soldering Requirements (Time & Temp)...S
T
@ 300°C
Operating & Storage Temperature Range...T
J
, T
STRG
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
............................................. 3.5 ...............................................
............................................. 0.4 ...............................................
Volts
Grams
............................................. 10 Sec. ........................................... Min. to
Solder
......................................... -55 to 175 ..........................................
°C
For Bi-Directional Applications, Use C or CA. Electrical Characteristics Apply in Both Directions.
Lead Length .375 Inches.
8.3 ms, ½ Sine Wave, Single Phase Duty Cycle, @ 4 Pulses Per Minute Maximum.
V
BR
Measured After I
T
Applies for 300
µs.
I
T
= Square Wave Pulse or Equivalent.
Non-Repetitive Current Pulse. Per Fig. 3 and Derated Above T
A
= 25°C per Fig. 2.
Page 11-6
第一块DSP板的设计点滴-转
从2006.8.1开始正式接触DSP到现在也已经一个多月了,从开始的在自己的开发板上调试熟悉DSP到现在要自己设计DSP,真的是很不容易.我想把在设计中遇到的问题和常用的电路芯片选择归纳如下: 1.电源 ......
liumnqti DSP 与 ARM 处理器
大侠们请进啦~~~
如果程序中要用到的USART2外设的TX,RX分别对应PA2,PA3,PA2,PA3引脚接了其他设备,但是为了还要用USART2, 就用这个“RCC_APB2Periph_GPIOD |RCC_APB2Periph_AFIO”就打开了GPIOD重映射功能 ......
melon_1 stm32/stm8
NIOS2中寄存器的问题!
NIOS2中外设的内部寄存器,是不是都是同一宽度呀,我看里面固有的外设都是16位的,我能不能超过16位?如果可以最大是多少位呢?因为现在要自己设计一个外设,16位不够用了~...
少121 FPGA/CPLD
DSP中断服务子程序中是否需要是能全局中断EINT?
我是DSP2812的菜鸟,现在有个问题请教一下各位高手,关于中断服务子程序的,在中断服务子程序中需要清除中断标志,响应同组中断,我的问题是最后还是否需要使能全局中断了—EINT。因为我到看一 ......
踩不死的小强 微控制器 MCU
NAND 驱动移植问题
ATMEL9261的两个CE5.0不同版本号的BSP进行NAND驱动移植(将第二个BSP的NAND驱动移植到第一个BSP上,但都是9261 CE5.0BSP) 移植后,程序都进不了FMD_INIT函数,看了下代码,驱动是通过读NAND的 ......
yuqinfeng 嵌入式系统
炜盛气体传感器续篇2
了解了MQ半导体、MP平面半导体、MC催化元件、ME电化学传感器后, 那么今天我们把剩余的传感器都有个大概的了解:RD热释电红外传感器、MH红外传感器等。 首先是热释电红外传感器,原理是 ......
炜盛一朵花 传感器

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 26  1904  734  2768  292  5  43  58  46  37 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved