SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | POWEREX |
| 包装说明 | E-LALF-W2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | E-LALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 100 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最大输出电流 | 2.5 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ELLIPTICAL |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V |
| 最大反向恢复时间 | 6 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 1N5059 | 1N5060 | 1N5061 | 1N5062 | A14P | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP | SILICON, RECTIFIER DIODE | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE | SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V | 1 V |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 100 A | 100 A | 100 A | 100 A | 50 A |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 175 °C |
| 最大输出电流 | 2.5 A | 2.5 A | 2.5 A | 2.5 A | 1 A |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V | 400 V | 600 V | 800 V | 1000 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| 厂商名称 | POWEREX | POWEREX | - | POWEREX | POWEREX |
| 包装说明 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | - |
| 针数 | 2 | 2 | 2 | 2 | - |
| 应用 | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | - |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | - |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | - |
| JESD-30 代码 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | - |
| 相数 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | - |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS | - |
| 封装形状 | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL | - |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | - |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 最大反向恢复时间 | 6 µs | 6 µs | 6 µs | 6 µs | - |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | - |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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