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1N4944

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小100KB,共2页
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1N4944概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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1N4942
THRU
1N4948
1.0 AMP FAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
200 to 1000 Volts
CURRENT
FEATURES
* Low forward voltage drop
* Low leakage current
* High reliability
* High current capability
1.0 Ampere
DO-41
.107(2.7)
.080(2.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.34 grams
.205(5.2)
.166(4.2)
.034(.9)
.028(.7)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=75 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range T
J
, T
STG
NOTES:
1N4942
200
140
200
1N4944
400
280
400
1N4946
600
420
600
1.0
30
1.3
5.0
100
1N4947
800
560
800
1N4948
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
µA
150
250
15
-65 +150
500
µA
nS
pF
C
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
86

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