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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4942G
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1N4942G

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB，共2页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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1N4942G概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1N4942G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
零件包装代码DO-41
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
1N4942G
THRU
1N4948G
FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 200 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere
FEATURES
*
*
*
*
*
High reliability
Low leakage
Low forward voltage drop
Glass passivated junction
High switch capability
DO-41
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.35 gram
.034 (0.9)
DIA.
.028 (0.7)
1.0 (25.4)
MIN.
.205 (5.2)
.166 (4.2)
.107 (2.7)
.080 (2.0)
DIA.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
o
1.0 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
o
at T
A
= 55 C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
T
J
, T
STG
1N4942G
200
140
200
1N4944G
400
280
400
1N4946G
600
420
600
1.0
30
15
-65 to + 150
1N4947G
800
560
800
1N4948G
1000
700
1000
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
pF
0
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage T
A
= 25
o
C
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle
Average, .375” (9.5mm) lead length at T
L
= 55
o
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
NOTES : 1. Test Conditions: I
F
= 0.5A, I
R
= -1.0A, I
RR
= -0.25A
2. Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts
SYMBOL
V
F
1N4942G
1N4944G
1N4946G
1.3
5.0
I
R
100
trr
150
250
500
uAmps
nSec
2001-6
1N4947G
1N4948G
UNITS
Volts
uAmps
o

1N4942G相似产品对比

1N4942G 50F2D391KTV 1N4946G 1N4947G 1N4948G
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 POLYESTER FILM CAPACITORS 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-41 - DO-41 DO-41 DO-41
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2 - PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2 O-PALF-W2
针数 2 - 2 2 2
Reach Compliance Code _compli - not_compliant _compli _compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V - 1.3 V 1.3 V 1.3 V
JEDEC-95代码 DO-41 - DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 - e3 e3 e3
元件数量 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A - 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） 265 - 265 265 265
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V - 600 V 800 V 1000 V
最大反向恢复时间 0.15 µs - 0.25 µs 0.25 µs 0.5 µs
表面贴装 NO - NO NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE - WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches - - 1 1 1

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