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1N4936G

产品描述1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共2页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
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1N4936G概述

1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1N4936G规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.12 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N4933
1.0 AMP FAST RECOVERY RECTIFIERS
THRU
1N4937
VOLTAGE RANGE
50 to 600 Volts
CURRENT
FEATURES
* Low forward voltage drop
* Low leakage current
* High reliability
* High current capability
1.0 Ampere
DO-41
.107(2.7)
.080(2.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.34 grams
.034(.9)
.028(.7)
DIA.
.205(5.2)
.166(4.2)
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=75 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range T
J
, T
STG
NOTES:
1N4933
50
35
50
1N4934
100
70
100
1N4935
200
140
200
1.0
30
1.2
5.0
100
200
15
-65 +150
1N4936
400
280
400
1N4937
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
V
mA
mA
nS
pF
C
1. Reverse Recovery Time test condition:IF=1.0A, VR=30V.
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

1N4936G相似产品对比

1N4936G IN4937 1N4933G 1N4934G 1N4935G 1N4937G
描述 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE
二极管类型 RECTIFIER DIODE 信号二极管 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
厂商名称 FORMOSA - FORMOSA FORMOSA FORMOSA FORMOSA
包装说明 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown - unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON
最大正向电压 (VF) 1.2 V - 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JEDEC-95代码 DO-41 - DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 30 A - 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 - 1 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A - 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 400 V - 50 V 100 V 200 V 600 V
最大反向恢复时间 0.12 µs - 0.12 µs 0.12 µs 0.12 µs 0.12 µs
表面贴装 NO - NO NO NO NO
端子形式 WIRE - WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL

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