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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SF2005G
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SF2005G

产品描述10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小235KB，共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SF2005G在线购买

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SF2005G概述

10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

SF2005G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层PURE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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SF2001G - SF2008G
20.0 AMPS. Glass Passivated Super Fast Rectifiers
TO-220AB
Features
High efficiency, low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss.
For use in low voltage, high frequency inventor, free
wheeling, and polarity protection application
Mechanical Data
Cases: TO-220AB Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Pure tin plated, lead free. solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: As marked
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C/10 seconds .16”,(4.06mm) from case.
Weight: 2.24 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
o
@T
C
= 100 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 10A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25
o
C
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=100
o
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Symbol
SF
SF
SF
SF
SF
SF
SF
SF
2001G 2002G 2003G 2004G 2005G 2006G 2007G 2008G
Units
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
50
35
50
100 150 200 300 400 500 600
70 105 140 210 280 350 420
100 150 200 300 400 500 600
20
150
0.975
1.3
5.0
400
35
80
2.5
-65 to +150
-65 to +150
1.7
V
uA
uA
nS
pF
o
C/W
o
C
o
C
Cj
R
θJC
T
J
Storage Temperature Range
T
STG
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Notes:
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
3. Thermal Resistance from Junction to Case Mounted on Heatsink size of 3” x 5” x 0.25” Al-Plate.
Version: A06

SF2005G相似产品对比

SF2005G SF2008G
描述 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code compli compli
其他特性 FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 300 V 600 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 PURE TIN PURE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE

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