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SF32-TB

产品描述3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小40KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SF32-TB概述

3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

SF32-TB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码DO-201AD
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SF31 – SF37
Pb
3.0A SUPERFAST DIODE
Features
!
!
!
!
!
Diffused Junction
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Reliability
High Surge Current Capability
A
B
A
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: DO-201AD, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 1.2 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
D
DO-201AD
Dim
Min
Max
25.4
A
7.20
9.50
B
1.20
1.30
C
4.80
5.30
D
All Dimensions in mm
C
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@T
A
= 50°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
SF31
50
35
@T
A
=25°C unless otherwise specified
SF32
100
70
SF33
150
105
SF34
200
140
3.0
SF35
300
210
SF36
400
280
SF37
600
420
Unit
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j
T
STG
100
0.95
125
1.3
5.0
100
35
80
-65 to +125
-65 to +150
1.7
A
V
µA
nS
pF
°C
°C
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
SF31 – SF37
1 of 4
© 2006 Won-Top Electronics
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