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SFE1J

产品描述SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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SFE1J概述

SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB

SFE1J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称DIOTEC
零件包装代码DO-213AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-PELF-R2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SFE1A ... SFE1M
SFE1A ... SFE1M
Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes
Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-04-26
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
0.5
2.5
1A
50...1000 V
DO-213AB
0.07 g
Type
Typ
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
5.0
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
SFE1A
SFE1B
SFE1D
SFE1G
SFE1J
SFE1K
SFE1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
T
= 100°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
0.5
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
1A
10 A
1
)
30 A
4.5 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
T
j
1
Max. temperature of the terminals T
T
= 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse T
T
= 100°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1

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描述 SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 DIOTEC DIOTEC - - DIOTEC DIOTEC DIOTEC -
零件包装代码 DO-213AB DO-213AB - DO-213AB DO-213AB DO-213AB DO-213AB DO-213AB
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2 O-PELF-R2 - O-PELF-R2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2 O-PELF-R2
针数 2 2 - 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknow compli - compli compli unknow unknow compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 0.95 V - 0.95 V 1.25 V 1.7 V 1.7 V 0.95 V
JEDEC-95代码 DO-213AB DO-213AB - DO-213AB DO-213AB DO-213AB DO-213AB DO-213AB
JESD-30 代码 O-PELF-R2 O-PELF-R2 - O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
湿度敏感等级 1 1 - 1 1 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A - 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 - 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C - -50 °C -50 °C -50 °C -50 °C -50 °C
最大输出电流 1 A 1 A - 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 100 V - 200 V 400 V 1000 V 800 V 50 V
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.05 µs - 0.05 µs 0.05 µs 0.075 µs 0.075 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES - YES YES YES YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND - WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END - END END END END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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