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NVATS5A302PLZT4G

产品描述MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小466KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NVATS5A302PLZT4G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NVATS5A302PLZT4G概述

MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK

NVATS5A302PLZT4G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码369AM
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time5 weeks
雪崩能效等级(Eas)197 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)80 A
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)84 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)320 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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