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CMSD2005S BK

产品描述DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小537KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMSD2005S BK概述

DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323

CMSD2005S BK规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对串联
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)300V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)225mA(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.25V @ 200mA
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 280V
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

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CMSD2005S
SURFACE MOUNT
DUAL, IN SERIES
HIGH VOLTAGE
SILICON SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSD2005S
contains two (2) High Voltage Silicon Switching
Diodes, manufactured by the epitaxial planar process,
epoxy molded in a SOT-323 surface mount package,
designed for applications requiring high voltage
capability.
MARKING CODE: B5D
SOT-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Current
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VR
VRRM
IRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
300
350
200
225
625
4.0
1.0
275
-65 to +150
455
UNITS
V
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IR
VR=280V
100
IR
VR=280V, TA=150°C
100
BVR
IR=100μA
350
VF
IF=20mA
0.87
VF
VF
CT
trr
IF=100mA
IF=200mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=30mA, Irr=3.0mA, RL=100Ω
1.0
1.25
5.0
50
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
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