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BC183DWP

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.015 X 0.015 INCH, G1, DIE-2
产品类别晶体管   
文件大小45KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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BC183DWP概述

Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.015 X 0.015 INCH, G1, DIE-2

BC183DWP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码S-XUUC-N2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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