MXLSMBG6.5A,MXLSMBG6.5A pdf中文资料,MXLSMBG6.5A引脚图,MXLSMBG6.5A电路-Datasheet-电子工程世界

MXLSMBG6.5A: 产品描述TVS DIODE 6.5V 11.2V DO215AA; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小519KB，共7页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MXLSMBG6.5A概述

TVS DIODE 6.5V 11.2V DO215AA

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-215AA
包装说明	R-PDSO-G2
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	7.98 V
最小击穿电压	7.22 V
击穿电压标称值	7.6 V
最大钳位电压	11.2 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-215AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.38 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	6.5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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