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TK7P60W5,RVQ

产品描述MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小242KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TK7P60W5,RVQ概述

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

TK7P60W5,RVQ规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)670 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)16nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)490pF @ 300V
FET 功能超级结
功率耗散(最大值)60W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装DPAK
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

TK7P60W5,RVQ相似产品对比

TK7P60W5,RVQ TK7P60W5
描述 MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS≤700V
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