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CMPD2836 TR

产品描述DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小526KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPD2836 TR概述

DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT23

CMPD2836 TR规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对共阳极
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)75V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.2V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 240V
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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CMPD2836
CMPD2838
SURFACE MOUNT
DUAL, SILICON
SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD2836 and
CMPD2838 types are ultra-high speed switching diodes
manufactured by the epitaxial planar process, in an
epoxy molded surface mount package, designed for
high speed switching applications.
SOT-23 CASE
The following configurations are available:
CMPD2836
CMPD2838
DUAL, COMMON ANODE
DUAL, COMMON CATHODE
MARKING CODE: CA2
MARKING CODE: CA6
SYMBOL
VRRM
IO
IFM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
75
200
300
350
-65 to +150
357
UNITS
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
VR=50V
IR=100μA
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
1.5
75
1.0
1.0
1.2
4.0
4.0
100
UNITS
nA
V
V
V
V
pF
ns
R6 (25-January 2010)

 
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