2015-08-25
GaAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
Version 1.1
LD 274
Features:
•
Very highly efficient GaAs-LED
•
High reliability
•
Spectral match with silicon photodetectors
•
Same package as SFH 484
Applications
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape
•
recorders, dimmers
•
Sensor technology
•
Discrete interrupters
•
Remote control
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Besondere Merkmale:
•
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
•
Hohe Zuverlässigkeit
•
Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
•
Gehäusegleich mit SFH 484
Anwendungen
•
IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- und
Videogeräten, Lichtdimmern
•
Sensorik
•
Diskrete Lichtschranken
•
Gerätefernsteuerung
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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1
Version 1.1
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
LD 274
LD 274-2
LD 274-3
Note:
Anm.:
LD 274
Ordering Code
Bestellnummer
90 (≥ 50)
50 ... 100
≥ 80
Q62703Q1031
Q62703Q1819
Q62703Q1820
Measured at a solid angle of Ω = 0.001 sr; LD 274-2 is only available on request.
Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr; LD 274-2 ist nur auf Anfrage lieferbar.
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤ 10 µs, D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
ESD withstand voltage
ESD Festigkeit
(acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM)
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 100
5
100
3
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
P
tot
R
thJA
V
ESD
165
450
2
mW
K/W
kV
2015-08-25
2
Version 1.1
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Peak wavelength
Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50 Ω)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100 µs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
(typ)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
950
LD 274
Unit
Einheit
nm
(typ)
∆λ
55
nm
(typ)
(typ)
(min ..
max)
(typ)
ϕ
LxW
H
t
r
, t
f
± 10
0.3 x 0.3
4.9 ... 5.5
500
°
mm x
mm
mm
ns
(typ)
C
0
25
pF
(typ (max)) V
F
1.3 (≤ 1.5)
V
(typ)
V
F
1.9 (≤ 2.5)
V
(typ (max)) I
R
0.01 (≤ 1)
µA
(typ)
Φ
e
20
mW
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Version 1.1
LD 274
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw. Φ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
LD 274
LD 274-2
LD 274-3
Note:
Anm.:
Symbol
Symbol
(typ)
TC
I
Values
Werte
-0.55
Unit
Einheit
%/K
(typ)
TC
V
-1.5
mV / K
(typ)
TC
λ
0.3
nm / K
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, max
[mW / sr]
100
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
F
= 1 A, t
p
= 100 µs
I
e, typ
[mW / sr]
700
600
800
50
50
80
Measured at a solid angle of Ω = 0.001 sr; LD 274-2 is only available on request.
Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr; LD 274-2 ist nur auf Anfrage lieferbar.
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Version 1.1
Relative Spectral Emission
1)
page 11
Relative spektrale Emission
1)
Seite 11
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
%
OHR01938
LD 274
Radiant Intensity
1)
page 11
Strahlstärke
1)
Seite 11
I
e
/ I
e
(100 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 25 µs,
T
A
= 25°C
Ι
e
10
2
OHR01038
Ι
rel
80
Ι
e
(100 mA)
60
10
1
40
10
0
20
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
I
F, max
= f(T
A
)
120
OHR00883
Forward Current
1)
page 11
Durchlassstrom
1)
Seite 11
I
F
= f(V
F
), single pulse, t
p
= 100 µs, T
A
= 25°C
10
1
A
OHR01041
Ι
F
mA
100
Ι
F
80
R
thjA
= 450 K/W
60
10
0
typ.
max.
40
10
-1
20
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
2015-08-25
5
京公网安备 11010802033920号
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