GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 242
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
• Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Typ
Type
LD 242
LD 242-2/3
LD 242 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q151
Q62703-Q4749
Q62703-Q3509
Features
•
•
•
•
•
•
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
Anode is electrically connected to the case
High reliability
Matches all Si-Photodetectors
Hermetically sealed package
Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
Applications
•
•
•
•
Photointerrupters
IR remote control of various equipmet
Sensor technology
Light-grille barrier
Gehäuse
Package
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’)
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transparent
epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’)
2001-02-22
1
LD 242
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom,
T
C
= 25
°C
Forward current
Stoßstrom,
τ ≤
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung,
T
C
= 25
°C
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 80
5
300
3
470
450
160
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
∆λ
55
nm
ϕ
±
40
0.25
0.5
×
0.5
0.3
…
0.7
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
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2
LD 242
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
1
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
40
pF
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.3 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5)
0.01 (≤ 1)
16
V
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
0.3
mV/K
nm/K
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3
LD 242
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
1)
Symbol
-2
-3
Werte
Values
7800
1)
Einheit
Unit
I
e
I
e typ.
4
…
8
50
> 6.3
75
1
…
3.2
–
mW/sr
mW/sr
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt, daß bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser
verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial
direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
1)
2001-02-22
4
LD 242
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHR01938
Radiant Intensity
I
e
=
f
(
I
F
)
I
e
100 mA
OHR01037
Single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
e
10
2
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
300
OHR00971
Ι
rel
Ι
e
(100 mA)
Ι
F
mA
250
R
thJL
= 160 K/W
80
10
1
60
200
150
40
R
thJA
= 450 K/W
10
0
20
100
50
10
-1
10
-2
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80
˚C
100
T
A
,
T
L
Forward Current
I
F
=
f
(
V
E
)
10
1
A
OHR01040
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(τ),
T
C
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
Ι
F
10
4
mA
5
OHR01937
Ι
F
t
P
t
P
D
=
T
Ι
F
T
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10
0
typ.
max.
10
3
5
0.2
0.5
10
-1
DC
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
τ
10
0
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHR01877
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-02-22
5
京公网安备 11010802033920号
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