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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFS11N50ATRR
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IRFS11N50ATRR

产品描述MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小352KB，共10页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IRFS11N50ATRR概述

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

IRFS11N50ATRR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）275 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.52 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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IRFS11N50A, SiHFS11N50A
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 10 V
52
13
18
Single
D
FEATURES
500
0.52
D
2
PAK (TO-263)
• Low Gate Charge Q
g
results in Simple Drive
Requirement
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Available
Ruggedness
• Fully
Characterized
Capacitance
and
Available
Avalanche Voltage and Current
• Effective C
oss
Specified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
Note
*
This datasheet provides information about parts that are
RoHS-compliant and/or parts that are non-RoHS-compliant. For
example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.
Please see the information/tables in this datasheet for details.
G
G D
S
S
N-Channel MOSFET
APPLICATIONS
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
• Uninterruptible Power Supply
• High Speed Power Switching
TYPICAL SMPS TOPOLOGIES
• Two Transistor Forward
• Half and Full Bridge
• Power Factor Correction Boost
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
D
2
PAK (TO-263)
SiHFS11N50A-GE3
IRFS11N50APbF
D
2
PAK (TO-263)
SiHFS11N50ATRR-GE3
a
IRFS11N50ATRRP
a
D
2
PAK (TO-263)
SiHFS11N50ATRL-GE3
a
IRFS11N50ATRLP
a
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain
Current
a
Energy
b
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
for 10 s
Temperature)
d
LIMIT
500
± 30
11
7.0
44
1.3
275
11
17
170
6.9
- 55 to + 150
300
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
A
UNIT
V
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche
Repetitive Avalanche Current
a
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. Starting T
J
= 25 °C, L = 4.5 mH, R
g
= 25
,
I
AS
= 11 A (see fig. 12).
c. I
SD
11 A, dI/dt
140 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
S13-1927-Rev. E, 09-Sep-13
Document Number: 91286
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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IRFS11N50ATRR IRFS11N50ATRLPBF IRFS11N50ATRRPBF SIHFS11N50A SIHFS11N50A-E3 SIHFS11N50ATL SIHFS11N50ATL-E3 SIHFS11N50ATR-E3
描述 MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK 11 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 11 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 11 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 11 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 11 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 11 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 11 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 符合 不符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
Is Samacsys N N N N N N N N
雪崩能效等级（Eas） 275 mJ 275 mJ 275 mJ 275 mJ 275 mJ 275 mJ 275 mJ 275 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.52 Ω 0.52 Ω 0.52 Ω 0.52 Ω 0.52 Ω 0.52 Ω 0.52 Ω 0.52 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 170 W 170 W 170 W 170 W 170 W 170 W 170 W 170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
是否无铅 - 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅
JESD-609代码 - e3 e3 e0 e3 e0 e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1 - 1 - 1 1
峰值回流温度（摄氏度） - 260 260 240 260 240 260 260
端子面层 - MATTE TIN MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间 - 40 30 30 40 30 40 40
零件包装代码 - - - D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
JEDEC-95代码 - - - TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB

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