Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> S-25C160A0I-K8T3U3

S-25C160A0I-K8T3U3: 产品描述IC EEPROM 16K SPI 5MHZ 8TMSOP; 产品类别存储存储; 文件大小491KB，共39页; 制造商ABLIC

下载文档详细参数选型对比全文预览

S-25C160A0I-K8T3U3在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	S-25C160A0I-K8T3U3	-	-	点击查看	点击购买

S-25C160A0I-K8T3U3概述

IC EEPROM 16K SPI 5MHZ 8TMSOP

S-25C160A0I-K8T3U3规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	MSOP
包装说明	TMSOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)	5 MHz
数据保留时间-最小值	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
长度	2.9 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.8 mm
串行总线类型	SPI
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.6 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

S-25C160A

www.ablic.com

www.ablicinc.com

SPI SERIAL E

PROM

Rev.4.2

_03_H

The S-25C160A is a SPI serial E

PROM which operates at high speed, with low current consumption and the wide range

operation. The S-25C160A has the capacity of 16K-bit and the organization of 2048 words



8-bit. Page write and sequential

read are available.



Features



Operating voltage range:

Read

1.6 V to 5.5 V

Write

1.7 V to 5.5 V

5.0 MHz (V

= 2.5 V to 5.5 V)

5.0 ms max.



Operation frequency:



Write time:



SPI mode (0, 0) and (1, 1)



Page write:

32 bytes / page



Sequential read



Write protect:

Software, Hardware

Protect area:

25%, 50%, 100%



Monitors write to the memory by a status register



Function to prevent malfunction by monitoring clock pulse



Write protect function during the low power supply



CMOS schmitt input ( CS , SCK, SI,

, HOLD )



Endurance:

cycles / word

(Ta =

25°C)



Data retention:

100 years (Ta =

25°C)



Memory capacity:

16 K-bit



Initial delivery state:

FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0



Operation temperature range:

Ta =

40°C

85C



Lead-free, Sn 100%, halogen-free

*1.

For each address (Word: 8-bit)

*2.

Refer to “

Product Name Structure”

for details.



Packages



8-Pin SOP (JEDEC)



8-Pin TSSOP



TMSOP-8



WLP-8J

Caution This product is intended to use in general electronic devices such as consumer electronics, office

equipment, and communications devices. Before using the product in medical equipment or

automobile equipment including car audio, keyless entry and engine control unit, contact to

ABLIC Inc. is indispensable.

S-25C160A0I-K8T3U3相似产品对比

	S-25C160A0I-K8T3U3	S-25C160A0I-J8T1U3	S-25C160A0I-T8T1U3
描述	IC EEPROM 16K SPI 5MHZ 8TMSOP	IC EEPROM 16K SPI 5MHZ 8SOP	IC EEPROM 16K SPI 5MHZ 8TSSOP
零件包装代码	MSOP	SOIC	SOIC
包装说明	TMSOP-8	HALOGEN FREE AND LEAD FREE, SOP-8	TSSOP-8
针数	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	100 YEAR DATA RETENTION	100 YEAR DATA RETENTION	100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)	5 MHz	5 MHz	5 MHz
数据保留时间-最小值	100	100	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
长度	2.9 mm	5.02 mm	4.4 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	8	8	8
字数	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP	SOP	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	0.8 mm	1.75 mm	1.1 mm
串行总线类型	SPI	SPI	SPI
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.6 V	1.6 V	1.6 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	2.8 mm	3.9 mm	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms
JESD-609代码	e3	-	e3
端子面层	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)
是否Rohs认证	-	符合	符合
厂商名称	-	ABLIC	ABLIC

推荐资源

LED制造应用相辅相成五大因素决定显示屏质量: LED（发光二极管）对显示屏的重要性就好比汽车的引擎、空调的压缩机。选择一款性能优良的LED是完成一个高性能LED显示屏的基本条件。然而，即使同样的配菜、同样的调料、同样的灶具，不同水平的 ......; 探路者 LED专区

关于单片机开发软件Keil的问题: 我是个新手，请大家多多指教! 我的电脑系统是win7的64位系统，请问下大家Keil在这个系统下能否正常运行C程序？？？顺便再问下大家有没有支持win7 64位系统的VC环境，如果有可不可以发给 ......; yuetian 51单片机

想要使msp430g2553的TX口发出115200波特率的数据代码该怎么写？: 想要使msp430g2553的TX口发出115200波特率的数据代码该怎么写？注意：原数据是100000波特率的！！！ ...; 唉唉呦唉微控制器 MCU

一句话的鬼故事(超经典): 1、我一个人要乘出租车，司机问我：你们两个要去哪里？2、一人从车祸的现场走开，迎面有人拦住他： hei !你的一只手还在车上呢！3、车开得飞快，一个老太婆趴在窗外看著我。4、开摩托车接女朋 ......; rain 聊聊、笑笑、闹闹

对于一个初学编程的人,怎么算学完c语言,要达到什么程度: 我学C语言有2个月了潭号强的书看了2遍了，可我觉得对c语言还是很迷茫，对于一个初学编程的人,怎么算学完c语言,要达到什么程度,我对c语言的方向还有了解一点的，c语言的未来是底层开发和嵌入式系 ......; ruanhua 编程基础

应用开发笔记 | 米尔MYD-YA15XC-T LoRa无线通讯实例: 1.概述本文主要基于LoRa调制功能的无线串口模块的树莓派扩展板，讲述在M4核LoRa的调试过程。 2.硬件资源 ØTypec Debug线1根 ØMicro usb线1根 ØMYD-15XC-T ......; okhxyyo 嵌入式系统

SIMATIC S7-1500 PLC左移指令（SHL）及样

TIA博途软件位移指令能将将累加器的内容逐位向左或者向右移动。移动的位数由N决定，向左移N位相当于累加器的内容乘以2N，向右移相当于累加器的内容处理2N。移位指令在逻辑控制中使用也很方便。 (1)左移指令(SHL) 当左移指令（SHL）的EN位为高电平“1”时，将执行移位指令，将IN端制定的内容送入累加器1低字中，并左移N端制定的位数，然后写入OUT端指令的目的地址中，左移指令（SHL）和参...[详细]
韩企抱团，能否破解电池困境？

从全球领先到失去市场，韩国电池厂一直想要夺回失去的市场和尊严，但是面对以宁德时代和比亚迪为代表的中国电池厂商，却难以形成真正的竞争。根据统计，今年上半年，仅宁德时代和比亚迪就占全球电动汽车电池销量的 55%以上，高于 2024 年同期的53%。与此同时，韩国电池厂商LG Energy、SK On和三星SDI的合计市场份额下降至16.4%，比去年同期下降5.4%。虽然韩...[详细]
什么是线扫工业镜头？线扫镜头有哪些作用？

线扫镜头是一种与线扫相机搭配使用的工业镜头，成像原理是利用线性传感器将工件的图像拍摄下来，并进行数字信号处理来达到高精度的成像效果。本质上说，线扫镜头跟面阵镜头没有区别。线扫镜头的特点是最大像面尺寸比较大，它能够在高速运动的物体上进行图像捕捉，具有高速的扫描频率和快速的曝光时间。线扫镜头通常具有较小的视场角度，但能够提供高分辨率和优秀的图像质量。普密斯线扫工业镜头的分辨率更高，采样速度也...[详细]
同功率的电动汽车与燃油车相比谁的表现更好

同功率的电动机与内燃机，其扭矩大小是接近的。动力强需要高扭矩的支持，扭矩大小决定了一辆车加速快慢，也就是俗说的劲头大小。但是有时候同功率的电动机其扭矩并不会比内燃机高。例如比亚迪秦pro采用的电动机功率为110kw、最大扭矩为250Nm，而比亚迪秦pro采用的1.5T发动机，其最大功率为113kw，最大扭矩240牛米，可以说同功率的电机发动机扭矩也是接近的。又如大众1.4T发动机，最大功率...[详细]
苹果印度扩张计划遇到新麻烦，富士康被曝在当地召回约 300 名中国工程师

8 月 25 日消息，苹果在印度的扩张遇到新麻烦。据彭博社报道，富士康科技集团已从印度召回约 300 名中国工程师，使苹果在当地的生产计划再度受阻。这些工程师来自富士康旗下裕展科技位于泰米尔纳德邦的工厂，这是数月以来第二次发生类似情况。裕展工厂主要生产旧款 iPhone 的金属外壳和显示模组，并未参与新一代 iPhone 17 的制造。该工厂才投产数月，而苹果的显示器依旧大量依赖进口。苹果...[详细]
“2025年7月中国充电桩增至1669.6万个，桩车比1:1.8满足新能源车增长”

8月22日，国家能源局发布最新数据，截至2025年7月底，我国电动汽车充电基础设施总数达到1669.6万个，同比增长53%。其中，公共充电设施为420.2万个，同比增长38%；私人充电设施为1249.4万个，同比增长58.8%。今年上半年，新能源汽车国内销量为587.8万辆，充电基础设施与新能源汽车的快速增长保持同步，桩车增量比为1:1.8，表明充电基础设施建设基本能够满足新能源汽车的快速发展需...[详细]
控制UPS逆变器的三种方法，响应速度快

ups是指不间断电源，包含能量存储设备。主要用于为一些对电力稳定性要求较高的设备提供不间断电源。控制UPS逆变器的三种方法当市电输入正常时，ups将向负载提供市电电压调节器。此时，ups是一个交流电压调节器，它也为机器中的电池充电。逆变器是ups的心脏。它将直流电转换成用户所需的交流电。对于ups来说，逆变器输出电压的质量决定了ups的整体性能。以下是对的3种控制方法的简要介绍up...[详细]
Teletrac Navman推出Multi IQ多摄像头行车记录仪

Teletrac Navman推出Multi IQ行车记录仪，这是一款基于云端、专为大型商用车运营商打造的解决方案。它最多可连接五个摄像头，覆盖车辆内部、侧面、后部等区域，配合内置的高清双前置和驾驶员侧行车记录仪，解决了大型车辆盲点问题。图片来源： Teletrac 该记录仪运用先进人工智能分析技术，能检测疲劳驾驶、分心驾驶等事件，并以高清格式记录。其集成于Teletrac Navm...[详细]
串联逆变器与并联逆变电源有什么不同，先开通后关断

串联逆变器和并联逆变器的区别在于使用不同的振荡电路。串联逆变器将L、R和c串联，并联逆变器将L、R和c并联。串联逆变器与并联逆变电源有哪些区别串联逆变器的负载电路具有低阻抗。需要电压源电源，大滤波电容器应并联在DC电源端子上。如果逆变器发生故障，由于浪涌电流大，很难提供保护。并联逆变器的负载电路呈现高阻抗，需要电流源供电。大型电抗器应串联在DC电力终端。如果逆变器发生故障，很容易提...[详细]
高精度电流传感器如何实现电压信号输出

随着科学技术的发展以及绿色节约循环发展方针的推进，精确控制，精准测量的需求越来越多。在电力行业，电流电压检测的技术要求越来越严格，精度要求越来越高，航智高精度电流传感器、电压传感器应运而生。航智传感器是基于磁通门技术的闭环传感器，具有高稳定度(温漂低、长期稳定性好)、高精度（可达10ppm）、高线性( 1ppm)等特点，可满足客户各种严苛需求，广泛应用于需要高精度测量电流电压的功率分析、高稳定电...[详细]
铅酸电池和锂电池对于新能源汽车哪个性价比高

电池作为新能源汽车的核心，关乎车辆的用车和续航，根据现有汽车电池的种类来说分为铅酸电池以及锂电池等各类的电池，当前，新能源汽车是以锂电池作为车辆的动力电池。而采用铅酸电池的基本上是以低速电动汽车为主，例如老年代步车等，而对于新能源汽车来说，使用铅酸电池和锂电池哪个性价比更高？根据电池的特征来说，自然是锂电池的性价比要高，首先从锂电池是由金属元素构成电池的电芯，依靠锂离子在正极和负极之间移动...[详细]
MIPI 物理层的演进：从移动设备到多元应用的高速数据接口革新

在摄像头与显示系统中，数据接口对高性能与低功耗的需求正推动技术持续迭代。MIPI D-PHY 与 MIPI C-PHY 的演进轨迹，清晰展现了从移动行业起源到汽车、医疗、工业视觉及扩展现实（XR）等多元场景的渗透。这些技术突破不仅是对更高分辨率、帧率及实时图像处理催生的数据速率激增的回应，更构建了一套兼顾效率与兼容性的底层架构。 MIPI D-PHY：从速率提升到功耗革新的渐进式突破 ...[详细]
基于SATA2.0的高速存储系统设计实现

引言　　科学技术的快速发展使得人类快速地从网络时代迈入大数据时代，于是人们在社会生活中产生的数据量呈现爆炸式增长，这给数据的存储带来了很大的压力。正是基于这种现状，借助于计算机与电子技术的快速发展，本文提出一种SATA2.0协议的高速大容量数据存储系统，相比于更早的PATA协议具有无可比拟的优势。SATA协议的数据传输模式传输速度比PATA协议更快，将40根数据线简化到7根，并且采取差分传输形...[详细]
UCLA和博通合作实现单向成像，为计算光学铺路

一种新型多层衍射光学处理器可以阻挡一个方向的图像，同时使另一个方向的图像通过。加州大学洛杉矶分校 (UCLA) 和博通 (Broadcom) 的研究人员开发出一种可见光谱成像仪，它可以实现传统光学器件无法实现的单向成像。该平台采用新颖的纳米制造工艺和基于深度学习的设计，标志着首个用于宽带单向成像的晶圆级多层衍射光学处理器的诞生，有望为安全成像、紧凑型多光谱相机和计算光学领域的实际应用铺平道...[详细]
MOSFET的顶部散热：与PCB和双面散热相比，散热管理更出色

随着现代电子系统的功率密度持续提高，高效的热管理已成为确保系统性能、可靠性和使用寿命的关键因素 - 尤其是在工业驱动、汽车系统和供电等高功率应用领域。尽管通过PCB进行底部散热的方法已作为标准沿用多年，但顶部散热正逐渐成为一种更高效的替代方案。本文将重点阐述顶部散热相较于传统PCB散热及双面散热方案所具有的核心优势。传统底部散热对于采用底部散热的MOSFET，半导体芯片产生的热量...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多