电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BC308B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
产品类别晶体管   
文件大小117KB,共2页
制造商Central Semiconductor
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BC308B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

BC308B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
Base Number Matches1

BC308B相似产品对比

BC308B HCHP2208K1651DFPT151 BC309C BC307A BC307B BC308C BC309B BC309A BC307C
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 1650ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 2208, Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant compliant
端子数量 3 2 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 155 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装形式 CYLINDRICAL SMT CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 -
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
零件包装代码 TO-92 - TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 TO-92, 3 PIN TO-92, 3 PIN TO-92, 3 PIN TO-92, 3 PIN TO-92, 3 PIN
针数 3 - 3 3 3 3 3 3 3
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 25 V - 25 V 45 V 45 V 25 V 25 V 25 V 45 V
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180 - 380 120 180 380 180 120 380
JEDEC-95代码 TO-92 - TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e2 e0 e0 e0 e0 e0 e0 -
元件数量 1 - 1 1 1 1 1 1 1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
极性/信道类型 PNP - PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W - 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.25 W -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver (Sn/Ag) - with Nickel (Ni) barrier Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 130 MHz - 130 MHz 130 MHz 130 MHz 130 MHz 130 MHz 130 MHz 130 MHz
msp430摄像头
...
wx222 微控制器 MCU
直线电机噪声很大的原因。
PMAC控制卡,DTC-8B 转4路,PARKER的驱动器和直线电机,可以正常闭环运动,噪声和振动很大,PID怎么调都很大,怀疑是噪声干扰,但是不知道怎么弄,请高人指点12,到底是不是电磁干扰引起的噪声,小弟拜谢! 如果是该如何解决噪声。...
eeleader 工控电子
复合互补源极跟随器
[p=24, null, left][color=#333333][font=arial, 宋体, sans-serif,]1、电容C2所起作用是什么?[/font][/color][/p][p=24, null, left][color=#333333][font=arial, 宋体, sans-serif,]2、C2的正极在栅极端,我更不解了。??[/font][/color][/p][p=2...
dizhoumimi 模拟电子
multisim噪声仿真与噪声系数仿真问题
在用multisim对用集成运放搭建的放大电路进行噪声仿真与噪声系数仿真时:噪声仿真中最后输出的噪声是否包含了集成运放本身的输入噪声?还是只有电路中电阻元件产生的噪声?噪声系数仿真中输出的噪声系数dB值为什么为负数?理想状态输入输出信噪比相等噪声系数为1即0dB,怎么会出现负数呢?谢谢大家。...
LukeLee 模拟电子
Build SDK报错,摸不到头绪,谁能指点一下啊!
报错内容如下:Committing database changesCreating 'required' featureAdding required filesCommitting database changesCreateFile failed to open "E:\WINCE500\PBWorkspaces\2450_20081117\SDK\2450_20081117\MSFT_SD...
loserfeng 嵌入式系统
小西瓜学瑞萨单片机(3)GPIO
[i=s] 本帖最后由 574433742 于 2015-11-22 11:41 编辑 [/i]R7F0C809 是一个面对中国市场的MCU,作为一个16bit RL78 的内核,整体的性能其实并没有 arm高。这个20引脚的封装资源也算有限。没有最好,只有最合适,单片机的性能不一定非要好,而是市场定位的不同。这个MCU的资料还是蛮丰富的。。。这次主要学了下GPIO和ADC,做个小笔记吧。[siz...
574433742 瑞萨电子MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 187  723  1360  1498  1617 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved