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TK39A60W,S4VX

产品描述MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小236KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TK39A60W,S4VX概述

MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

TK39A60W,S4VX规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time16 weeks
雪崩能效等级(Eas)608 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)38.8 A
最大漏源导通电阻0.065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)155 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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