LT1160IS#PBF,LT1160IS#PBF pdf中文资料,LT1160IS#PBF引脚图,LT1160IS#PBF电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 驱动程序和接口> LT1160IS#PBF

LT1160IS#PBF: 产品描述IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小105KB，共1页; 制造商Linear ( ADI ); 官网地址http://www.analog.com/cn/index.html; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

LT1160IS#PBF概述

IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC

LT1160IS#PBF规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Linear Technology
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Linear ( ADI )
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP14,.25
针数	14
制造商包装代码	S
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	YES
输入特性	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G14
JESD-609代码	e3
长度	8.65 mm
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	14
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
输出特性	TOTEM-POLE
标称输出峰值电流	1.5 A
输出极性	TRUE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP14,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
最大供电电压	15 V
最小供电电压	10 V
标称供电电压	12 V
表面贴装	YES
技术	BIPOLAR
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
断开时间	0.6 µs
接通时间	0.5 µs
宽度	3.9 mm

LT1160IS#PBF相似产品对比

	LT1160IS#PBF	LT1160CS#PBF	LT1160CN#PBF	LT1160IS#TRPBF	LT1160CS#TRPBF	LT1160IN#PBF
描述	IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC	IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC	IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP	IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC	IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC	IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP
Brand Name	Linear Technology	Linear Technology	Linear Technology	Linear Technology	Linear Technology	Linear Technology
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )
零件包装代码	SOIC	SOIC	DIP	SOIC	SOIC	DIP
包装说明	SOP, SOP14,.25	SOP, SOP14,.25	DIP, DIP14,.3	SOP,	SOP,	DIP, DIP14,.3
针数	14	14	14	14	14	14
制造商包装代码	S	S	N	S	S	N
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
高边驱动器	YES	YES	YES	YES	YES	YES
输入特性	SCHMITT TRIGGER	SCHMITT TRIGGER	SCHMITT TRIGGER	SCHMITT TRIGGER	SCHMITT TRIGGER	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDIP-T14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDIP-T14
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	14	14	14	14	14	14
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
输出特性	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE	TOTEM-POLE
标称输出峰值电流	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A
输出极性	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	DIP	SOP	SOP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	3.809 mm	1.75 mm	1.75 mm	3.809 mm
最大供电电压	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
最小供电电压	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V
标称供电电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES	YES	NO
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	NOT SPECIFIED	30	30	NOT SPECIFIED
断开时间	0.6 µs	0.6 µs	0.6 µs	0.6 µs	0.6 µs	0.6 µs
接通时间	0.5 µs	0.5 µs	0.5 µs	0.5 µs	0.5 µs	0.5 µs
宽度	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm
长度	8.65 mm	8.65 mm	-	8.65 mm	8.65 mm	-
封装等效代码	SOP14,.25	SOP14,.25	DIP14,.3	-	-	DIP14,.3
电源	12 V	12 V	12 V	-	-	12 V
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1

LT1160IS#PBF

LT1160IS#PBF概述

LT1160IS#PBF规格参数

LT1160IS#PBF相似产品对比

推荐资源