IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
| 参数名称 | 属性值 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM |
| 存储容量 | 256Mb （16M x 16） |
| 时钟频率 | 133MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns |
| 访问时间 | 5.4ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
| MT48LC16M16A2TG-75:D TR | MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR | MT48LC16M16A2TG-7E IT:D TR | MT48LC16M16A2TG-7E:D TR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP |
| 存储器类型 | 易失 | 易失 | 易失 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| 技术 | SDRAM | SDRAM | SDRAM | SDRAM |
| 存储容量 | 256Mb （16M x 16） | 256Mb （16M x 16） | 256Mb （16M x 16） | 256Mb （16M x 16） |
| 时钟频率 | 133MHz | 133MHz | 133MHz | 133MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 15ns | 14ns | 14ns |
| 访问时间 | 5.4ns | 5.4ns | 5.4ns | 5.4ns |
| 存储器接口 | 并联 | 并联 | 并联 | 并联 |
| 电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V | 3 V ~ 3.6 V | 3 V ~ 3.6 V | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） | 0°C ~ 70°C（TA） | -40°C ~ 85°C（TA） | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II | 54-TSOP II | 54-TSOP II | 54-TSOP II |
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