MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 |
| 制造商包装代码 | 418AY |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| Samacsys Description | MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET |
| 其他特性 | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 864 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 219 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 100 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0024 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 214 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 876 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
