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FGA40T65UQDF

产品描述IGBT 650V 80A 231W TO3PN
产品类别半导体    分立半导体   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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FGA40T65UQDF概述

IGBT 650V 80A 231W TO3PN

FGA40T65UQDF规格参数

参数名称属性值
IGBT 类型NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)120A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)1.67V @ 15V,40A
功率 - 最大值231W
开关能量989µJ(开),310µJ(关)
输入类型标准
栅极电荷306nC
25°C 时 Td(开/关)值32ns/271ns
测试条件400V,40A,6 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)89ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-3PN
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