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MIC4608YM-T5

产品描述IC MOSFET DVR 600V HALF 14SOIC
产品类别半导体    电源管理   
文件大小638KB,共20页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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MIC4608YM-T5概述

IC MOSFET DVR 600V HALF 14SOIC

MIC4608YM-T5规格参数

参数名称属性值
驱动配置半桥
通道类型独立式
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)1A,1A
输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)600V
上升/下降时间(典型值)31ns,31ns
工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装14-SOIC

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MIC4608
600V Half Bridge MOSFET or IGBT Driver
General Description
The MIC4608 is a 600V Half Bridge IGBT or MOSFET
driver. The MIC4608 features a 450ns propagation delay
including a 200ns input filtering time to prevent unwanted
pulses. The low-side and high-side gate drivers are
independently controlled (with shoot thru protection) or
controlled with a single PWM signal. The MIC4608 has
TTL input thresholds.
The robust operation of the MIC4608 ensures that the
outputs are not affected by supply glitches, HS ringing
below ground, or HS slewing with high-speed voltage
transitions. Undervoltage protection is provided on both
the low-side and high-side drivers.
The MIC4608 is available in a 14-pin SOIC package. The
MIC4608 has an operating junction temperature range of
–40°C to +125°C.
Datasheets and support documentation are available on
Micrel’s web site at:
www.micrel.com.
Features
Gate drive supply voltage up to 20V
Drives high-side and low-side N-Channel MOSFETs or
IGBTs with independent inputs or with a single PWM
signal
±50V/ns dV/dt immunity
TTL input thresholds
200ns input filtering time
Shoot thru protection
Low power consumption
Supply undervoltage protection
–40°C to +125°C junction temperature range
Applications
Full- and half-bridge motor drive
Industrial controls
White goods
Typical Application
Half–Bridge Motor Driver
Micrel Inc. • 2180 Fortune Drive • San Jose, CA 95131 • USA • tel +1 (408) 944-0800 • fax + 1 (408) 474-1000 •
http://www.micrel.com
May 12, 2015
Revision 1.0

MIC4608YM-T5相似产品对比

MIC4608YM-T5 MIC4608YM-TR MIC4608YM
描述 IC MOSFET DVR 600V HALF 14SOIC IC MOSFET DVR 600V HALF 14SOIC IC MOSFET DVR 600V HALF 14SOIC
驱动配置 半桥 半桥 -
通道类型 独立式 独立式 -
驱动器数 2 2 -
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET IGBT,N 沟道 MOSFET -
电压 - 电源 10 V ~ 20 V 10 V ~ 20 V -
逻辑电压 - VIL,VIH 0.8V,2.2V 0.8V,2.2V -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1A,1A 1A,1A -
输入类型 非反相 非反相 -
高压侧电压 - 最大值(自举) 600V 600V -
上升/下降时间(典型值) 31ns,31ns 31ns,31ns -
工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -
安装类型 表面贴装 表面贴装 -
封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) -
供应商器件封装 14-SOIC 14-SOIC -
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