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SMBJ120A

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小369KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SMBJ120A概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

600 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-214AA

SMBJ120A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压147 V
最小击穿电压133 V
击穿电压标称值140 V
最大钳位电压193 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压120 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Pure Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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