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1N4007GPP TR

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小224KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N4007GPP TR概述

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

1N4007GPP TR规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 1A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)2µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V
不同 Vr,F 时的电容8pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

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