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1N4002SP BK

产品描述DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小68KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N4002SP BK概述

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

1N4002SP BK规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 1A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 100V
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

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Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

1N4002SP BK相似产品对比

1N4002SP BK 1N4002SP TR 1N4004SP TR
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
二极管类型 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V 100V 400V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 100V 5µA @ 100V 5µA @ 400V
安装类型 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41 DO-41 DO-41
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C

 
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