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CMUT5551E BK

产品描述TRANS PNP
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小493KB,共4页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMUT5551E BK概述

TRANS PNP

CMUT5551E BK规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)220V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)100mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)120 @ 10mA,5V
功率 - 最大值250mW
频率 - 跃迁300MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-523
供应商器件封装SOT-523

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CMUT5551E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-523 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage and small space
saving packaging.
MARKING CODE: 5C1
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage 250V
SOT-523 CASE
• Low Leakage Current 50nA Max
• Low Saturation Voltage 100mV Max @ 50mA
APPLICATIONS:
• General purpose switching and amplification • Complementary Device CMUT5401E
• SOT-523 Surface Mount Package
• Telephone applications
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
250
220
6.0
600
250
-65 to +150
500
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Power Dissipation
Continuous Collector Current
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
VCB=120V
VCB=120V, TA=100°C
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
250
220
6.0
MAX
50
50
50
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
75
100
1.00
1.00
mV
mV
V
V
Enhanced Specification
R1 (9-February 2010)

 
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