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CMPT5551E TR

产品描述TRANS PNP
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小477KB,共4页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPT5551E TR概述

TRANS PNP

CMPT5551E TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)220V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)100mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)120 @ 10mA,5V
功率 - 最大值350mW
频率 - 跃迁300MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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CMPT5551E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-23 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage and small space
saving packaging.
MARKING CODE: C555
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage 250V
SOT-23 CASE
• Low Leakage Current 50nA Max
• Low Saturation Voltage 100mV Max @ 50mA
APPLICATIONS:
• General purpose switching and amplification • Complementary Device CMPT5401E
• SOT-23 Surface Mount Package
• Telephone applications
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
250
220
6.0
600
350
-65 to +150
357
BVCBO
BVCEO
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=120V
ICBO
VCB=120V, TA=100°C
IEBO
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=150mA
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
120
120
75
25
100
250
220
6.0
MAX
50
50
50
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
75
100
1.00
1.00
300
mV
mV
V
V
hFE
hFE
fT
300
MHz
Enhanced specification
R1 (1-February 2010)

 
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