Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> IRD3CH11DB6

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IRD3CH11DB6: 产品描述DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小130KB，共1页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRD3CH11DB6概述

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE

IRD3CH11DB6规格参数

参数名称	属性值
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	1200V
电流 - 平均整流（Io）	25A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	2.7V @ 25A
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）	190ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	700nA @ 1200V
安装类型	表面贴装
封装/外壳	模具
供应商器件封装	模具
工作温度 - 结	-40°C ~ 150°C

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IRD3CH11DB6

Ulta Fast-Soft Recovery Diode

Active

Specifications

Parameter

Base Part Status

Package

RoHS

Die Product

Halogen-Free

Voltage

Technology

Value

Active

DIE ON WAFER

Yes

DieProduct

Yes

1200

Diode

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http://www.irf.com/part/Ulta-Fast-Soft-Recovery-Diode/_/A~IRD3CH11DB6

5/4/2016

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