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FR307TA

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小323KB,共4页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
标准
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FR307TA概述

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

FR307TA规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.3V @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V
不同 Vr,F 时的电容60pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-201AD,轴向
供应商器件封装DO-201AD
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

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FR301-FR307
Technical Data
Data Sheet N0448, Rev. A
FAST RECOVERY RECTIFIERS
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 3.0 Amperes
Features
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Fast switching for high efficiency
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed: 260 C/10
seconds,0.375”(9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
FR301 THRU FR307
DO-201AD
Circuit Diagram
Mechanical Data
Case: DO-201AD molded plastic body
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-
STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.04 ounce, 1.10 grams
Single phase half-wave 60Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20%.
Characteristic
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum RMS voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at @T
A
=75°C
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
At Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
DC
V
RMS
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
RM
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
150
60
20
FR
301
50
35
FR
302
5
100
3
70
FR
303
1
200
7
140
FR
304
2
400
1
280
3.0
200
1.3
5.0
100
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
FR
305
4
600
2
420
FR
306
6
800
4
560
FR
307
8
1000
5
700
Units
1
V
1
V
A
A
V
µA
250
500
ns
pF
°C/W
°C
°C
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to
Ambient (Note 3)
Operating junction temperature range
Operating storage temperature range
-65 to +150
-65 to +150
Note: 1. Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length, P.C.B. mounted
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

FR307TA相似产品对比

FR307TA FR301TA FR302TA FR303TA FR304TA FR305TA FR306TA
描述 DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1000V 50V 100V 200V 400V 600V 800V
电流 - 平均整流(Io) 3A 3A 3A 3A 3A 3A 3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.3V @ 3A 1.3V @ 3A 1.3V @ 3A 1.3V @ 3A 1.3V @ 3A 1.3V @ 3A 1.3V @ 3A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 500ns 150ns 150ns 150ns 150ns 250ns 500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 1000V 5µA @ 50V 5µA @ 100V 5µA @ 200V 5µA @ 400V 5µA @ 600V 5µA @ 800V
不同 Vr,F 时的电容 60pF @ 4V,1MHz 60pF @ 4V,1MHz 60pF @ 4V,1MHz 60pF @ 4V,1MHz 60pF @ 4V,1MHz 60pF @ 4V,1MHz 60pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向
供应商器件封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C

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