TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L100R12W2H3_B11
EasyPACKModulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 50A / I
CRM
= 100A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
ElektrischeEigenschaften
• HighSpeedIGBTH3
• NiedrigeSchaltverluste
• T
vjop
=150°C
MechanischeEigenschaften
• PressFITVerbindungstechnik
• RoHSkonform
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
ElectricalFeatures
• HighSpeedIGBTH3
• LowSwitchingLosses
• T
vjop
=150°C
MechanicalFeatures
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2015-02-03
revision:2.3
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:CM
approvedby:AKDA
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L100R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
1200
100
50
200
375
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,13
0,14
0,145
0,02
0,03
0,03
0,30
0,38
0,40
0,03
0,06
0,065
1,05
1,65
1,80
1,60
2,60
2,95
400
0,30
5,05
typ.
1,55
1,70
1,75
5,80
0,80
7,5
6,15
0,345
1,0
100
max.
1,75
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,40 K/W
V
A
A
A
W
V
I
C nom
I
CRM
P
tot
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 3,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,1
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,1
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,1
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,1
Ω
6,45
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 25 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,1
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 25 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 2400 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,1
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2015-02-03
revision:2.3
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L100R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
R
thCH
T
vj op
-40
0,35
150
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FN
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
650
100
50
200
850
800
typ.
1,35
1,30
1,25
52,0
57,0
59,0
1,90
3,60
4,10
0,45
0,75
0,85
0,55
0,65
-40
150
max.
1,60
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,70 K/W
K/W
°C
V
A
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 2200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 2200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 2200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2015-02-03
revision:2.3
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L100R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 75°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
650
50
100
175
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,025
0,025
0,025
0,017
0,021
0,022
0,19
0,22
0,25
0,033
0,05
0,055
1,10
1,75
1,90
1,50
2,05
2,20
350
250
0,75
0,70
-40
150
4,90
typ.
1,45
1,60
1,70
5,80
0,50
0,0
3,10
0,095
1,0
100
max.
1,90
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
A
0,85 K/W
K/W
°C
V
A
A
W
V
I
C nom
I
CRM
P
tot
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 8,2
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 8,2
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 8,2
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 8,2
Ω
6,50
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 25 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2600 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 8,2
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 25 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 8,2
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
8 µs, T
vj
= 25°C
t
P
≤
6 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2015-02-03
revision:2.3
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L100R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
35
150
510
450
typ.
2,00
1,70
1,65
70,0
85,0
90,0
2,40
5,70
7,00
0,70
1,75
2,15
0,65
0,85
-40
150
max.
2,55
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,75 K/W
K/W
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 35 A, - di
F
/dt = 2400 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 35 A, - di
F
/dt = 2400 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 35 A, - di
F
/dt = 2400 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
Gewicht
Weight
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
V
ISOL
min.
L
sCE
T
stg
F
G
-40
40
-
39
2,5
Al
2
O
3
11,5
6,3
10,0
5,0
> 200
typ.
14
125
80
max.
nH
°C
N
g
kV
mm
mm
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2015-02-03
revision:2.3
5
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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