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SICRD10650CTTR

产品描述DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小419KB,共7页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
标准
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SICRD10650CTTR概述

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SICRD10650CTTR规格参数

参数名称属性值
二极管类型碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)650V
电流 - 平均整流(Io)5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.7V @ 5A
速度无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr)0ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流60µA @ 650V
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装DPAK
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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SICR10650CT
SICRB10650CT
SICRD10650CT
SICRF10650CT
Technical Data
Data Sheet N1871, Draft 1
SICR10650CT
/ SICRB
10650CT
/ SICRD
10650CT
/ SICRF
10650CT
650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER
Description
SICR10650CT/ SICRB10650CT/ SICRD10650CT/
SICRF10650CT are all common cathode SiC Schottky
rectifiers packaged in TO-220AB, D2PAK, DPAK and
ITO-220AB case.The device is a high voltage Schottky
rectifier pair that has very low total conduction losses
and very stable switching characteristics over
temperature extremes. The SICR10650CT/
SICRB10650CT/ SICRD10650CT/ SICRF10650CT are
ideal for energy sensitive, high frequency applications
in challenging environments.
Features
175°C T
J
operation
Center tap configuration
Ultra-low switching loss
Switching speeds independent of operating
temperature
Low total conduction losses
High forward surge current capability
High package isolation voltage
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional electrical and life testing can be performed
upon request
Applications
Alternative energy inverters
Power Factor Correction (PFC)
Free-Wheeling diodes
Switching supply output rectification
Reverse polarity protection
SICR10650CT
SICRB10650CT
SICRD10650CT
SICRF10650CT
TO-220AB
D
2
PAK
DPAK
ITO-220AB
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

SICRD10650CTTR相似产品对比

SICRD10650CTTR SICRB10650CTTR SICR10650CT SICRF10650CT
描述 DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
二极管类型 碳化硅肖特基 碳化硅肖特基 碳化硅肖特基 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 650V 650V 650V 650V
电流 - 平均整流(Io) 5A 5A 5A 5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.7V @ 5A 1.7V @ 5A 1.7V @ 5A 1.7V @ 5A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io) 无恢复时间 > 500mA(Io) 无恢复时间 > 500mA(Io) 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr) 0ns 0ns 0ns 0ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 60µA @ 650V 60µA @ 650V 60µA @ 650V 60µA @ 650V
安装类型 表面贴装 表面贴装 通孔 通孔
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商器件封装 DPAK D2PAK TO-220AB ITO-220AB
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
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