IC GATE AND 2CH 2-INP 5DSBGA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DSBGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA8,2X4,20 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 系列 | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B8 |
| 长度 | 1.9 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 功能数量 | 2 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA8,2X4,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 包装方法 | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 4.7 ns |
| 传播延迟（tpd） | 9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 0.5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 0.9 mm |
| SN74LVC2G08YEAR | SN74LVC2G08YZAR | SN74LVC2G08DCUR | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC GATE AND 2CH 2-INP 5DSBGA | Logic Gates Dual 2-Input Pos | 电源电压：1.65V ~ 5.5V 逻辑电路的归属系列：74LVC 逻辑类型：与门 电路/元件数：2 输入数/每元件位数：2 静态电流（最大值）：10uA |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DSBGA | DSBGA | SOIC |
| 包装说明 | VFBGA, BGA8,2X4,20 | VFBGA, BGA8,2X4,20 | VSSOP, TSSOP8,.12,20 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknow | compliant |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week | 1 week |
| 系列 | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B8 | R-PBGA-B8 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 1.9 mm | 1.9 mm | 2.3 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND GATE | AND GATE | AND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A | 0.032 A |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 输入次数 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | VFBGA | VSSOP |
| 封装等效代码 | BGA8,2X4,20 | BGA8,2X4,20 | TSSOP8,.12,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TAPE AND REEL | TAPE AND REEL | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 传播延迟（tpd） | 9 ns | 9 ns | 9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.9 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | BALL | BALL | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 0.9 mm | 0.9 mm | 2 mm |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 4.7 ns | - | 4.7 ns |
| JESD-609代码 | - | e1 | e4 |
| 湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
| 端子面层 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
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