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MVP6KE16ATR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 13.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, T-18, 2 PIN; 产品类别二极管; 文件大小273KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MVP6KE16ATR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 13.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, T-18, 2 PIN

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大击穿电压	16.8 V
最小击穿电压	15.2 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	13.6 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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