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1N4685

产品描述3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小122KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N4685概述

3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N4685规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AA
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.417 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压3.6 V
最大反向电流7.5 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流0.05 mA
Base Number Matches1

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• 50
µ
A, LOW OPERATING CURRENT, ZENER DIODES
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
• METALLURGICALLY BONDED
1N4678
thru
1N4717
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Power Dissipation: 500mW @ +50°C
DC Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
Forward Voltage: 1.1 Volts maximum @ 200 mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
CDI
TYPE
NUMBER
(Note 1)
VOLTS
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
27.0
28.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ
ZENER
TEST
CURRENT
lZT
MAXIMUM
VOLTAGE
REGULATION
³VZ
(Note 2)
VOLTS
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE
CURRENT
lR @ VR
MAXIMUM
DC ZENER
CURRENT
lZM
mA
120.0
110.0
100.0
95.0
90.0
85.0
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
55.0
50.0
45.0
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
µ
A
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
µ
A
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
VOLTS
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO – 35 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
250
°
C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 35
°
C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING POSITION:
ANY.
NOTE 1
The JEDEC type numbers shown above have a standard tolerence of +5% of the
nominal Zener volume. VZ is measured with the diode in thermal equilibrium at
25°C + 3°C.
Vz @ 100
µ
A minus Vz @ 10
µ
A.
NOTE 2
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (978) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
47

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